0.12 µm GATE LENGTH In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate (2001)
Bollaert, S., Wallart, X., Lepilliet, S., Cappy, A., Jalaguier, E., Pocas, S., ...
New In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As transferred-substrate high electron mobility transistors (TS-HEMTs) have been successfully fabricated on 2 inch Silicon substrate with 0.12 µm T-shaped gate length....
Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique (1987)
Jalaguier, E., Joseph, J., Robach, Y., Bergignat, E., Hollinger, G.
Des composants MISFET de bonne qualité sont obtenus avec une double couche alumine-oxyde natif comme isolant de grille. Dans cet article, la loi de croissance de ces deux couches et la composition...
Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique (1987)
Jalaguier, E., Joseph, J., Robach, Y., Bergignat, E., Hollinger, G.
Des composants MISFET de bonne qualité sont obtenus avec une double couche alumine-oxyde natif comme isolant de grille. Dans cet article, la loi de croissance de ces deux couches et la composition...
Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique (1987)
Jalaguier, E., Joseph, J., Robach, Y., Bergignat, E., Hollinger, G.
Des composants MISFET de bonne qualité sont obtenus avec une double couche alumine-oxyde natif comme isolant de grille. Dans cet article, la loi de croissance de ces deux couches et la composition...