Salesse, A., Giani, A., Grosse, P., Bougnot, G.
Ce travail aborde l'étude des mécanismes de décomposition des organométalliques en phase gazeuse au moyen d'un réacteur spécifique à mur chaud et d'un spectromètre de masse à double...
Salesse, A., Giani, A., Grosse, P., Bougnot, G.
Ce travail aborde l'étude des mécanismes de décomposition des organométalliques en phase gazeuse au moyen d'un réacteur spécifique à mur chaud et d'un spectromètre de masse à double...
Salesse, A., Giani, A., Grosse, P., Bougnot, G.
Ce travail aborde l'étude des mécanismes de décomposition des organométalliques en phase gazeuse au moyen d'un réacteur spécifique à mur chaud et d'un spectromètre de masse à double...
Détermination de la résistance d'une couche sur substrat non isolant (1990)
Luquet, H., Gouskov, L., Perotin, M., Archidi, M. H., Pascal, F., Bougnot, G.
Dans le but de caractériser des couches d'antimoniures épitaxiées ou implantées mal isolées d'un substrat conducteur, nous avons été amenés à utiliser une méthode simple de détermination...
Détermination de la résistance d'une couche sur substrat non isolant (1990)
Luquet, H., Gouskov, L., Perotin, M., Archidi, M. H., Pascal, F., Bougnot, G.
Dans le but de caractériser des couches d'antimoniures épitaxiées ou implantées mal isolées d'un substrat conducteur, nous avons été amenés à utiliser une méthode simple de détermination...
Détermination de la résistance d'une couche sur substrat non isolant (1990)
Luquet, H., Gouskov, L., Perotin, M., Archidi, M. H., Pascal, F., Bougnot, G.
Dans le but de caractériser des couches d'antimoniures épitaxiées ou implantées mal isolées d'un substrat conducteur, nous avons été amenés à utiliser une méthode simple de détermination...
Bougnot, G., Pascal, F., Roumanille, F., Bougnot, J., Gouskov, L., Delannoy, F., ...
p and n GaSb layers have been grown on GaSb and semi-insulating GaAs substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method ; the lowest doping levels obtained are : p = 2 x 1016 cm-3,...
Bougnot, G., Pascal, F., Roumanille, F., Bougnot, J., Gouskov, L., Delannoy, F., ...
p and n GaSb layers have been grown on GaSb and semi-insulating GaAs substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method ; the lowest doping levels obtained are : p = 2 x 1016 cm-3,...
Bougnot, G., Pascal, F., Roumanille, F., Bougnot, J., Gouskov, L., Delannoy, F., ...
p and n GaSb layers have been grown on GaSb and semi-insulating GaAs substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method ; the lowest doping levels obtained are : p = 2 x 1016 cm-3,...
Bougnot, G., Bougnot, J., Delannoy, F., Foucaran, A., Grosse, P., Marjan, M., ...
Les solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y ont été élaborées par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM), sur substrats de GaSb. On décrit...
Perotin, M., Gouskov, L., Luquet, H., Jean, A., Silvestre, P., Magallon, D., ...
Nous décrivons la méthode de fabrication et les propriétés photoélectriques de trois types de diodes fabriquées à partir de couches de Ga0,96Al 0,04Sb déposées par épitaxie en phase liquide...
Bougnot, G., Bougnot, J., Delannoy, F., Foucaran, A., Grosse, P., Marjan, M., ...
Les solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y ont été élaborées par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM), sur substrats de GaSb. On décrit...
Perotin, M., Gouskov, L., Luquet, H., Jean, A., Silvestre, P., Magallon, D., ...
Nous décrivons la méthode de fabrication et les propriétés photoélectriques de trois types de diodes fabriquées à partir de couches de Ga0,96Al 0,04Sb déposées par épitaxie en phase liquide...
Bougnot, G., Bougnot, J., Delannoy, F., Foucaran, A., Grosse, P., Marjan, M., ...
Les solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y ont été élaborées par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM), sur substrats de GaSb. On décrit...
Perotin, M., Gouskov, L., Luquet, H., Jean, A., Silvestre, P., Magallon, D., ...
Nous décrivons la méthode de fabrication et les propriétés photoélectriques de trois types de diodes fabriquées à partir de couches de Ga0,96Al 0,04Sb déposées par épitaxie en phase liquide...
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs (1986)
Etienne, D., Achargui, N., Bougnot, G.
Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p,...
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs (1986)
Etienne, D., Achargui, N., Bougnot, G.
Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p,...
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs (1986)
Etienne, D., Achargui, N., Bougnot, G.
Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p,...
Photodétecteurs à base de Ga1-x Alx Sb dans la gamme 1,3-1,6 μm (1983)
Gouskov, L., Boustani, M., Bougnot, G., Gril, C., Joullie, A., Salsac, P., ...
Deux types de photodétecteurs à Ga1-xAl xSb (x ~ 0,17) ont été fabriqués et caractérisés : des diodes mésa diffusées Zn p+/n et des hétérojonctions oxyde d'indium dopé étain (ITO)/Ga1...
Photodétecteurs à base de Ga1-x Alx Sb dans la gamme 1,3-1,6 μm (1983)
Gouskov, L., Boustani, M., Bougnot, G., Gril, C., Joullie, A., Salsac, P., ...
Deux types de photodétecteurs à Ga1-xAl xSb (x ~ 0,17) ont été fabriqués et caractérisés : des diodes mésa diffusées Zn p+/n et des hétérojonctions oxyde d'indium dopé étain (ITO)/Ga1...
Photodétecteurs à base de Ga1-x Alx Sb dans la gamme 1,3-1,6 μm (1983)
Gouskov, L., Boustani, M., Bougnot, G., Gril, C., Joullie, A., Salsac, P., ...
Deux types de photodétecteurs à Ga1-xAl xSb (x ~ 0,17) ont été fabriqués et caractérisés : des diodes mésa diffusées Zn p+/n et des hétérojonctions oxyde d'indium dopé étain (ITO)/Ga1...
Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb (1974)
Joullie, A., Dedies, R., Chevrier, J., Bougnot, G.
Un diagramme de phase précis dans la région riche en indium du système ternaire Ga-In-Sb a été établi. Les points du liquidus ont été obtenus par analyse thermique différentielle...
Évaporation du séléniure de zinc en tube ouvert sous flux d'argon et d'hydrogène (1974)
Chevrier, J., Etienne, D., Bougnot, G.
Nous nous sommes intéressés au phénomène d'évaporation d'un solide sous flux gazeux dans les domaines de simple diffusion et de diffusion-convection. Le transport en phase vapeur du séléniure...
Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb (1974)
Joullie, A., Dedies, R., Chevrier, J., Bougnot, G.
Un diagramme de phase précis dans la région riche en indium du système ternaire Ga-In-Sb a été établi. Les points du liquidus ont été obtenus par analyse thermique différentielle...
Évaporation du séléniure de zinc en tube ouvert sous flux d'argon et d'hydrogène (1974)
Chevrier, J., Etienne, D., Bougnot, G.
Nous nous sommes intéressés au phénomène d'évaporation d'un solide sous flux gazeux dans les domaines de simple diffusion et de diffusion-convection. Le transport en phase vapeur du séléniure...
Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb (1974)
Joullie, A., Dedies, R., Chevrier, J., Bougnot, G.
Un diagramme de phase précis dans la région riche en indium du système ternaire Ga-In-Sb a été établi. Les points du liquidus ont été obtenus par analyse thermique différentielle...
Évaporation du séléniure de zinc en tube ouvert sous flux d'argon et d'hydrogène (1974)
Chevrier, J., Etienne, D., Bougnot, G.
Nous nous sommes intéressés au phénomène d'évaporation d'un solide sous flux gazeux dans les domaines de simple diffusion et de diffusion-convection. Le transport en phase vapeur du séléniure...
Bougnot, G., Averous, M., Calas, J.
Nous développons la théorie de la variation de ΔE, différence d'énergie entre les bandes de conduction (000) et (111) d'un semiconducteur comme GaSb, avec la pression. Pour cela, nous tenons...
Bougnot, G., Averous, M., Calas, J.
Nous développons la théorie de la variation de ΔE, différence d'énergie entre les bandes de conduction (000) et (111) d'un semiconducteur comme GaSb, avec la pression. Pour cela, nous tenons...
Bougnot, G., Averous, M., Calas, J.
Nous développons la théorie de la variation de ΔE, différence d'énergie entre les bandes de conduction (000) et (111) d'un semiconducteur comme GaSb, avec la pression. Pour cela, nous tenons...
Mesure de la durée de vie du premier état excité de 19F et de 25Mg (1965)
Bougnot, G., Espi, G., Poizat, J.C., Samueli, J.J., Sarazin, A.
Deux mesures directes de vies moyennes d'états nucléaires excités ont été effectuées à l'aide d'un accélérateur pulsé. Elles concernent le premier niveau de 19F et de 25Mg. Les valeurs...
Mesure de la durée de vie du premier état excité de 19F et de 25Mg (1965)
Bougnot, G., Espi, G., Poizat, J.C., Samueli, J.J., Sarazin, A.
Deux mesures directes de vies moyennes d'états nucléaires excités ont été effectuées à l'aide d'un accélérateur pulsé. Elles concernent le premier niveau de 19F et de 25Mg. Les valeurs...
Mesure de la durée de vie du premier état excité de 19F et de 25Mg (1965)
Bougnot, G., Espi, G., Poizat, J.C., Samueli, J.J., Sarazin, A.
Deux mesures directes de vies moyennes d'états nucléaires excités ont été effectuées à l'aide d'un accélérateur pulsé. Elles concernent le premier niveau de 19F et de 25Mg. Les valeurs...
Dispositif de pulsation du faisceau d'un accélérateur Van de Graaff de 3 MeV (1961)
Bougnot, G., Galiana, R., Samueli, J., Sarazin, A.
On décrit un dispositif électrostatique permettant l'obtention d'impulsions de protons inférieures à la nanoseconde avec une fréquence de répétition de 10 MHz. Le courant moyen obtenu est de...
Dispositif de pulsation du faisceau d'un accélérateur Van de Graaff de 3 MeV (1961)
Bougnot, G., Galiana, R., Samueli, J., Sarazin, A.
On décrit un dispositif électrostatique permettant l'obtention d'impulsions de protons inférieures à la nanoseconde avec une fréquence de répétition de 10 MHz. Le courant moyen obtenu est de...
Dispositif de pulsation du faisceau d'un accélérateur Van de Graaff de 3 MeV (1961)
Bougnot, G., Galiana, R., Samueli, J., Sarazin, A.
On décrit un dispositif électrostatique permettant l'obtention d'impulsions de protons inférieures à la nanoseconde avec une fréquence de répétition de 10 MHz. Le courant moyen obtenu est de...