Benkacem, M., Dumas, M., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On présente les résultats de la caractérisation I(V) en direct et 1/C2(V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP réalisées sous ultra-vide sur la face (110) clivée d'un barreau de type...
Benkacem, M., Dumas, M., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On présente les résultats de la caractérisation I(V) en direct et 1/C2(V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP réalisées sous ultra-vide sur la face (110) clivée d'un barreau de type...
Benkacem, M., Dumas, M., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On présente les résultats de la caractérisation I(V) en direct et 1/C2(V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP réalisées sous ultra-vide sur la face (110) clivée d'un barreau de type...
Bonnet, J., Soonckindt, L., Palau, J.M., Mansour, H., Lassabatère, L.
Pour interpréter les variations du travail de sortie des semiconducteurs avec la température on est conduit, à partir des différents modèles plausibles de distribution des états électroniques...
Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On étudie principalement par la méthode Kelvin mais aussi par spectrométrie Auger les surfaces (100) chimiques et (110) clivées de InP, l'interaction de cette dernière avec un métal réactif...
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Cet article est consacré à l'étude de la contribution du chauffage ou d'une exposition à l'oxygène aux propriétés des surfaces (110) de GaAs et des diodes que l'on réalise sur les surfaces...
Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats...
Bonnet, J., Soonckindt, L., Palau, J.M., Mansour, H., Lassabatère, L.
Pour interpréter les variations du travail de sortie des semiconducteurs avec la température on est conduit, à partir des différents modèles plausibles de distribution des états électroniques...
Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On étudie principalement par la méthode Kelvin mais aussi par spectrométrie Auger les surfaces (100) chimiques et (110) clivées de InP, l'interaction de cette dernière avec un métal réactif...
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Cet article est consacré à l'étude de la contribution du chauffage ou d'une exposition à l'oxygène aux propriétés des surfaces (110) de GaAs et des diodes que l'on réalise sur les surfaces...
Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats...
Bonnet, J., Soonckindt, L., Palau, J.M., Mansour, H., Lassabatère, L.
Pour interpréter les variations du travail de sortie des semiconducteurs avec la température on est conduit, à partir des différents modèles plausibles de distribution des états électroniques...
Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
On étudie principalement par la méthode Kelvin mais aussi par spectrométrie Auger les surfaces (100) chimiques et (110) clivées de InP, l'interaction de cette dernière avec un métal réactif...
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Cet article est consacré à l'étude de la contribution du chauffage ou d'une exposition à l'oxygène aux propriétés des surfaces (110) de GaAs et des diodes que l'on réalise sur les surfaces...
Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V (1984)
Ismail, A., Palau, J.M., Lassabatère, L.
Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats...
Dispositif de mesure de la polarisation des diélectriques à pertes (1977)
Nous décrivons un intégrateur performant capable de fournir la primitive de courants périodiques basse fréquence, de valeur moyenne non nulle. Cet appareil, qui a été construit pour étudier...
Sur l'interprétation de cycles d'hystérésis par le modèle de conduction protonique (1977)
Le fluorobéryllate de lithium LiN2H5BeF4 que nous avons étudié présente des cycles d'hystérésis tout à fait semblables à ceux du sulfate LiN2H5SO4. Les structures de ces deux matériaux...
Dispositif de mesure de la polarisation des diélectriques à pertes (1977)
Nous décrivons un intégrateur performant capable de fournir la primitive de courants périodiques basse fréquence, de valeur moyenne non nulle. Cet appareil, qui a été construit pour étudier...
Sur l'interprétation de cycles d'hystérésis par le modèle de conduction protonique (1977)
Le fluorobéryllate de lithium LiN2H5BeF4 que nous avons étudié présente des cycles d'hystérésis tout à fait semblables à ceux du sulfate LiN2H5SO4. Les structures de ces deux matériaux...
Dispositif de mesure de la polarisation des diélectriques à pertes (1977)
Nous décrivons un intégrateur performant capable de fournir la primitive de courants périodiques basse fréquence, de valeur moyenne non nulle. Cet appareil, qui a été construit pour étudier...
Sur l'interprétation de cycles d'hystérésis par le modèle de conduction protonique (1977)
Le fluorobéryllate de lithium LiN2H5BeF4 que nous avons étudié présente des cycles d'hystérésis tout à fait semblables à ceux du sulfate LiN2H5SO4. Les structures de ces deux matériaux...