Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium (2006)
Dans l'industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l'obtention de structures à fort rapport d'aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d'isolation...). La cryogravure est...
Oxidation threshold in silicon etching at cryogenic temperatures (2006)
Tillocher, Thomas, Lefaucheux, Philippe, Mellhaoui, Xavier, Dussart, Remi, Ranson, Pierre, Boufnichel, Mohamed, ...
In silicon etching in SF6/O2 plasmas, an oxidation threshold appears when the oxygen content is large enough. A SiOxFy passivation layer is formed under such conditions. This threshold is reached at...
Oxidation threshold in silicon etching at cryogenic temperatures (2006)
Tillocher, Thomas, Lefaucheux, Philippe, Mellhaoui, Xavier, Dussart, Remi, Ranson, Pierre, Boufnichel, Mohamed, ...
In silicon etching in SF6/O2 plasmas, an oxidation threshold appears when the oxygen content is large enough. A SiOxFy passivation layer is formed under such conditions. This threshold is reached at...